RENESAS - RJK0856DPB - 场效应管 MOSFET N沟道 80V 35A LFPAK - RJK0856DPB
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RJK0856DPB
制造商型号:
RJK0856DPB
制造商:
RENESAS
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 80V 35A LFPAK
技术参考:
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库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 80V 35A LFPAK
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 35A
漏源电压, Vds: 80V
在电阻RDS(上): 6.9mohm
电压 @ Rds测量: 10V
功耗, Pd: 65W
封装类型: SC-100
针脚数: 5
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 65W
漏极电流, Id 最大值: 35A
电压, Vgs 最高: 20V
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型号: RJK0856DPB 品牌: RENESAS 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 80V 35A LFPAK
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