RENESAS - RJK0456DPB - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 50A LFPAK - RJK0456DPB
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RJK0456DPB
制造商型号:
RJK0456DPB
制造商:
RENESAS
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 40V 50A LFPAK
技术参考:
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库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 40V 50A LFPAK
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 50A
漏源电压, Vds: 40V
在电阻RDS(上): 2.6mohm
电压 @ Rds测量: 10V
功耗, Pd: 65W
封装类型: SC-100
针脚数: 5
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 65W
漏极电流, Id 最大值: 50A
电压, Vgs 最高: 20V
旗下站点
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型号: RJK0456DPB 品牌: RENESAS 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 40V 50A LFPAK
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