PDF查询| 典型关断延迟时间 | 180 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.5 nC V @ 4 | |
| 典型输入电容值@Vds | 390 pF V @ 10 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.85mm | |
| 封装类型 | HWSON | |
| 尺寸 | 4.4 x 1.85 x 0.75mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 最大漏源电压 | 24 V | |
| 最大漏源电阻值 | 30 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | ±7.8 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双漏极 | |
| 长度 | 4.4mm | |
| 高度 | 0.75mm |
