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| RJK60S4DPE-WS#J3 [更多] | Renesas Electronics Corporation |
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| RJK60S4DP | Renesas Electronics | MOSFET，超级结，600V，16A，LDPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | RJK60S4DP Renesas Electronics | MOSFET，超级结，600V，16A，LDPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 44 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 26 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 V 时，17.5 常闭 | |
| 典型输入电容值@Vds | 25 V 时，1020 pF | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 8.6mm | |
| 封装类型 | LDPAK | |
| 尺寸 | 10.2 x 8.6 x 4.44mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大功率耗散 | 104.1 W | |
| 最大栅源电压 | +30 V | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.57 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 16 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 10.2mm | |
| 高度 | 4.44mm |
