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| RJK0655DPB-00#J | Renesas Electronics | MOSFET，N沟道，60V，35A，LFPAK5 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Renesas Electronics America MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 60W（Tc） LFPAK 型号：RJK0655DPB-00#J5 仓库库存编号：RJK0655DPB-00#J5TR-ND 别名：RJK0655DPB-00#J5-ND <br>RJK0655DPB-00#J5TR <br> | | 搜索 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 34 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 2550 pF V @ 10 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3.95mm | |
| 封装类型 | PTZZ0005DA-A | |
| 尺寸 | 4.9 x 3.95 x 1.1mm | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大功率耗散 | 60 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 6.7 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 35 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 三源 | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 高度 | 1.1mm |
