| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| DRA2124X0L [更多] | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| DRA2124X0L [更多] | Panasonic Electronic Components | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm RoHS: Compliant | 搜索 |
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| DRA2124X0L [更多] | Panasonic Electronic Components | TRANSISTOR WITH BUILT-IN RESISTORS - Tape and Reel (Alt: DRA2124X0L) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| DRA2124X0L [更多] | Panasonic Electronic Components | DRA2124X0L PNP Digi Transistor, -100 mA -50V 22 kOhm, Ratio Of.47, 3-Pin Mini3 G3 B RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| DRA2124X0L [更多] | Panasonic Electronic Components | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
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| DRA2124X0 | Panasonic | Complex Transistor PNP 50V 100mA SOT23 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Panasonic Electronic Components TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B 型号：DRA2124X0L 仓库库存编号：DRA2124X0LCT-ND 别名：DRA2124X0LCT <br> |  | 搜索 |
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 | DRA2124X0 Panasonic | Complex Transistor PNP 50V 100mA SOT23 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | DRA2124X0L Panasonic Electronic Components | 开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm | 查价格库存 查看详细 |
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 | Panasonic DRA2124X0L PNP Digi Transistor, -100 mA -50V 22 kOhm, Ratio Of.47, 3-Pin Mini3 G3 B 型号：DRA2124X0L 仓库库存编号：70358763 |  | 搜索 |
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| 制造商零件编号： DRA2124X0L 品牌： Panasonic 库存编号： 707-4364 | 搜索 |
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 | DRA2124X0L Panasonic Electronic Components | 开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm | 查价格库存 查看详细 |
| DRA2124X0L Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | TRANS PNP W/RES 50V 100MA MINI3 | 查价格库存 查看详细 |
| DRA2124X0 Panasonic | Complex Transistor PNP 50V 100mA SOT23 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | DRA2124X0L Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 50V 100MA MINI3 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型电阻比 | 0.47 | |
| 典型输入电阻器 | 22 kΩ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.5mm | |
| 封装类型 | Mini3 G3 B | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大功率耗散 | 200 mW | |
| 最大连续集电极电流 | -100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | -50 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.25 V | |
| 最小直流电流增益 | 80 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 1.1mm |
