PDF查询| 数据列表 | UNR421800A View all Specifications |
|---|---|
| 产品相片 | NS-B1 |
| 产品目录绘图 | NEW S Type Side NEW S Type Front |
| 标准包装 | 5,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 510 |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 5.1k |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20 @ 5mA，10V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 150MHz |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | NS-B1 |
| 供应商器件封装 | NS-B1 |
| 产品目录页面 | 1489 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | UN4218-(TA) UNR421800ATB |
