PDF查询| 数据列表 | MTM78E2B0LBF View All Specifications |
|---|---|
| 产品相片 | WSMINI8-F1-B |
| 产品目录绘图 | WSMini8 Package MTM78E2B Pin Out |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 25 毫欧 @ 2A，4V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | WS迷你型8-F1-B |
| 供应商器件封装 | W迷你型8-F1 |
| 产品目录页面 | 1488 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | MTM78E2B0LBFTR |
