数据列表 | MTM761100LBF View all Specifications |
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产品相片 | WSMINI6-F1-B. |
产品培训模块 | MOSFETs for Power Management |
产品目录绘图 | MTM76xxxxLBF MTM76xxxxLBF Pin Out |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 12V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 42 毫欧 @ 1A,4V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1200pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 700mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | WS迷你型6-F1 |
供应商器件封装 | WS迷你型6-F1-B |
产品目录页面 | 1489 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | MTM761100LBFTR |