数据列表 | 2SK3277 View all Specifications |
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产品相片 | 2SK327700L |
产品目录绘图 | U-G2 Type |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2.5A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.7 欧姆 @ 1.25A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 170pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 10W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | U-G1 |
供应商器件封装 | U-G1 |
产品目录页面 | 1489 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 2SK327700LTR |