PDF查询| 数据列表 | 2SD21780 View All Specifications |
|---|---|
| 产品相片 | MT-3 Pkg |
| 产品目录绘图 | MT-3 Package Side |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 50mA，1A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 170 @ 200mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 1.5W |
| 频率 - 跃迁 | 150MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 3-SIP |
| 供应商器件封装 | MT-3-A1 |
| 其它名称 | 2SD2178-S(TA) 2SD21780SATB |
