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ON Semiconductor - NTZS3151PT1G - MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563 - NTZS3151PT1G
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NTZS3151PT1G
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MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563

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MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563

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MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563

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MOSFET -20V -950mA P-Channel

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Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R

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Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R - Tape and Reel (Alt: NTZS3151PT1G)

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MOSFET, P CH, -20V, -0.86A, SOT-563-6

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P-Channel 20 V 950 mA 150 mOhm Small Signal MOSFET SOT-563

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NTZS3151PT1G P-channel MOSFET Transistor, 0.95 A, 20 V, 6-Pin SOT-563

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NTZS3151PT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563 查看库存、价格及货期
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NTZS3151PT1G|ON SemiconductorNTZS3151PT1G
ON Semiconductor		MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563
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无图NTZS3151PT1G-BKN
ON		Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

ON Semiconductor - NTZS3151PT1G - ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTZS3151PT1G, 950 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
制造商零件编号：
NTZS3151PT1G
品牌：
ON Semiconductor
库存编号：
780-4806
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
NTZS3151PT1G
ON SEMICONDUCTOR NTZS3151PT1G		2533210

ON SEMICONDUCTOR

晶体管, MOSFET, P沟道, -860 mA, -20 V, 120 mohm, -4.5 V, -1 V

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ON Semiconductor - NTZS3151PT1G - MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563		ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563
详细描述：表面贴装 P 沟道 860mA（Ta） 170mW（Ta） SOT-563

型号：NTZS3151PT1G
仓库库存编号：NTZS3151PT1GOSCT-ND
别名：NTZS3151PT1GOSCT
无铅
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NTZS3151PT1G|ON SemiconductorNTZS3151PT1G
ON Semiconductor		MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563
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ON Semiconductor - NTZS3151PT1G - 6-Pin SOT-563 20 V 0.95 A NTZS3151PT1G P-channel MOSFET Transistor|70341435 | ChuangWei Electronics		ON Semiconductor
NTZS3151PT1G P-channel MOSFET Transistor, 0.95 A, 20 V, 6-Pin SOT-563

型号：NTZS3151PT1G
仓库库存编号：70341435

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NTZS3151PT1G|ON Semiconductor
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NTZS3151PT1G
制造商型号： NTZS3151PT1G
制造商： ON Semiconductor
描述： MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 NTZS3151P
产品相片 SOT-563-6_463A
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）860mA （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）150 毫欧 @ 950mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)5.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)458pF @ 16V
功率 - 最大值170mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563，SOT-666
供应商器件封装SOT-563
产品目录页面1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名称NTZS3151PT1GOSTR

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