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| NTTFS4800NTAG [更多] | ON Semiconductor | MOSFET NFET U8FL 30V 28A RoHS: Compliant | 搜索 |
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| NTTFS4800NTAG [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin WDFN EP T/R
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| NTTFS4800NTAG [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin WDFN EP T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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| NTTFS4800NTA | ON Semiconductor | MOSFET，N沟道，30V，8.3A，WDFN8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | NTTFS4800NTA ON Semiconductor | MOSFET，N沟道，30V，8.3A，WDFN8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | NTTFS4800NTAG ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN | 查价格库存 查看详细 |
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 | ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5A（Ta），32A（Tc） 860mW（Ta），33.8W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3） 型号：NTTFS4800NTAG 仓库库存编号：NTTFS4800NTAGOSCT-ND 别名：NTTFS4800NTAGOSCT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 14 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 11.1 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.4 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 964 pF V @ 15 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3.15mm | |
| 封装类型 | WDFN-8 | |
| 尺寸 | 3.15 x 3.15 x 0.8mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.2 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 27 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 8.3 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 3.15mm | |
| 高度 | 0.8mm |
