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ON Semiconductor - NTMFS4925NET1G - MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL - NTMFS4925NET1G
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NTMFS4925NET1G
库存编号:NTMFS4925NET1G-ND
onsemi MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN0
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MOSFET NFET S08FL 30V 48A 6MOHM

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Trans MOSFET N-CH 30V 16.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R

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ON Semiconductor - NTMFS4925NET1G - MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9.7A(Ta),48A(Tc) 920mW(Ta),23.2W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

型号:NTMFS4925NET1G
仓库库存编号:NTMFS4925NET1G-ND

无铅
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NTMFS4925NET1G|ON SemiconductorNTMFS4925NET1G
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL
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MOSFET N-CH 30V 48A 8SOIC FL
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NTMFS4925NET1G|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NTMFS4925NET1G
制造商型号: NTMFS4925NET1G
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
数据列表 NTMFS4925NE
标准包装  1,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)9.7A (Ta), 48A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)6 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)21.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1264pF @ 15V
功率 - 最大值920mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TDFN 裸焊盘(5 根引线)
供应商器件封装6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6)

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