PDF查询| 数据列表 | NTMD6N04R2 |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| PCN Obsolescence | Multiple Devices Update 28/Jun/2011 |
| PCN Design/Specification | Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4.6A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 34 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 900pF @ 32V |
| 功率 - 最大值 | 1.29W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMD6N04R2G-ND NTMD6N04R2GOSTR |
