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NTLJS4114NT1G [更多] | ON Semiconductor | MOSFET NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm RoHS: Compliant | 搜索 |
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NTLJS4114NT1G [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin WDFN EP T/R RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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NTLJS4114NT1G [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin WDFN T/R - Cut TR (SOS) (Alt: NTLJS4114NT1G/BKN) RoHS: Compliant | 搜索 |
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![]() | ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN 详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2) 型号:NTLJS4114NT1G 仓库库存编号:NTLJS4114NT1GOSCT-ND 别名:NTLJS4114NT1GOSCT <br> | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | NTLJS4114N |
---|---|
产品相片 | 6-VDFN_506AN |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | µCool™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平栅极,1.8V 驱动 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.6A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 35 毫欧 @ 2A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 13nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 650pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 700mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | 6-WDFN(2x2) |
其它名称 | NTLJS4114NT1G-ND NTLJS4114NT1GOSTR |