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NTJS3157NT4G [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS: Compliant | 搜索 |
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NTJS3157NT4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) 1W(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363 型号:NTJS3157NT4 仓库库存编号:NTJS3157NT4-ND | 含铅 | 搜索 |
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数据列表 | NTJS3157N |
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产品相片 | SOT-363 PKG |
产品变化通告 | LTB Notification 03/Jan/2008 |
标准包装 | 10,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.2A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 60 毫欧 @ 4A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 400mV @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 15nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 500pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |