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ON Semiconductor - NTHD4102PT1G - MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET - NTHD4102PT1G
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NTHD4102PT1G
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ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET

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MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET

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MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET

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MOSFET -20V -4.1A Dual P-Channel

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MOSFET -20V -4.1A Dual

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Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R (Alt: NTHD4102PT1G)

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MOSFET, DUAL P CH, -20V, -2.9A, CHIPFET

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Dual P-Channel 20 V 64 mOhm 1.1 W Surface Mount Power MOSFET - CASE 1206A

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ON Semiconductor

Dual P-Channel 20 V 64 mOhm 1.1 W Surface Mount Power MOSFET - CASE 1206A

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NTHD4102PT1G Dual P-channel MOSFET Transistor, 4.1 A, 20 V, 8-Pin ChipFET

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NTHD4102PT1G|ON SemiconductorNTHD4102PT1G
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MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET
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ON Semiconductor - NTHD4102PT1G - ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET NTHD4102PT1G, 4.1 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装

制造商零件编号:
NTHD4102PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0589
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NTHD4102PT1G
ON SEMICONDUCTOR NTHD4102PT1G
2533189

ON SEMICONDUCTOR

Dual MOSFET, Dual P Channel, -2.9 A, -20 V, 64 mohm, -4.5 V, -1.5 V

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NTHD4102PT1G|ON SemiconductorNTHD4102PT1G
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MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET
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ON Semiconductor - NTHD4102PT1G - 8-Pin ChipFET 20 V 4.1 A NTHD4102PT1G Dual P-channel MOSFET Transistor|70341331 | ChuangWei Electronics
ON Semiconductor
NTHD4102PT1G Dual P-channel MOSFET Transistor, 4.1 A, 20 V, 8-Pin ChipFET


型号:NTHD4102PT1G
仓库库存编号:70341331

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MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET
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ON Semiconductor - NTHD4102PT1G - MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET

详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 1.1W Surface Mount ChipFET?

型号:NTHD4102PT1G
仓库库存编号:NTHD4102PT1GOSCT-ND
别名:NTHD4102PT1GOSCT
无铅
NTHD4102PT1G|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NTHD4102PT1G
制造商型号: NTHD4102PT1G
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 NTHD4102P
产品相片 8-ChipFET
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)80 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)8.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)750pF @ 16V
功率 - 最大值1.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商器件封装ChipFET?
其它名称NTHD4102PT1GOS
NTHD4102PT1GOS-ND
NTHD4102PT1GOSTR

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