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| NTD65N03RT4G [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS: Compliant | 搜索 |
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| NTD65N03RT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 9.5A（Ta），32A（Tc） 1.3W（Ta），50W（Tc） DPAK 型号：NTD65N03RT4G 仓库库存编号：NTD65N03RT4G-ND | 无铅 |
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 | NTD65N03RT4G ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | NTD65N03R |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品变化通告 | LTB Notification |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 9.5A （Ta）， 32A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 8.4 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1400pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 1.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
