PDF查询| 数据列表 | NSTB1002DXV5T1G,5G |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-553-5 |
| 产品变化通告 | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA，200mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V，40V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 47k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 47k |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V / 100 @ 1mA，10V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA / 400mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-553 |
| 供应商器件封装 | SOT-553 |
