PDF查询| 数据列表 | NST847BPDP6T5G |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-963_527AD |
| 产品变化通告 | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA / 700mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
