PDF查询| 数据列表 | NSS35200CF8T1G |
|---|---|
| 产品相片 | 8-ChipFET |
| 产品培训模块 | Low Vce(sat) BJT Power Savings |
| 产品变化通告 | Wire Change for ChipFet Pkg 20/Jul/2010 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 35V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 20mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1.5A，2V |
| 功率 - 最大值 | 635mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | ChipFET? |
| 产品目录页面 | 1562 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | NSS35200CF8T1G-ND |
