数据列表 | MUN5132DW1, NSBA143EDxx |
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产品相片 | SOT-963_527AD |
产品变化通告 | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
标准包装 | 8,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 4.7k |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 4.7k |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 15 @ 5mA,10V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | - |
功率 - 最大值 | 408mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-963 |
供应商器件封装 | SOT-963 |