PDF查询| 数据列表 | NSB13211DW6T1G |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-363 PKG |
| 产品变化通告 | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 4.7k，10k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 4.7k，10k |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V / 15 @ 5mA，10V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA / 250mV @ 1mA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 功率 - 最大值 | 230mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SC-88 |
