ON Semiconductor - NGD8201ANT4G - IGBT 晶体管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT - NGD8201ANT4G
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NGD8201ANT4G
制造商型号：
NGD8201ANT4G
制造商：
ON Semiconductor
描述：
IGBT 晶体管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT
技术参考：
PDF查询
库存状态：
实时库存查询
所在地：
深圳全新原装现货
备注：
代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线：
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:
ON Semiconductor
RoHS:
符合
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
440 V
集电极—射极饱和电压:
1.5 V
栅极/发射极最大电压:
15 V
在25 C的连续集电极电流:
20 A
栅极—射极漏泄电流:
300 uA
功率耗散:
125 W
最大工作温度:
+ 175 C
封装 / 箱体:
DPAK
封装:
Reel
最小工作温度:
- 55 C
安装风格:
SMD/SMT
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
NGD8201ANT4G
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www.szcwdz.com.cn
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型号: NGD8201ANT4G 品牌: ON Semiconductor 备注: IGBT 晶体管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT
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Q Q：
800152669
手机网站：
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