PDF查询| 数据列表 | NGB8202N,AN |
|---|---|
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 440V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.9V @ 4.5V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 20A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50A |
| 功率 - 最大值 | 150W |
| Switching Energy | - |
| 输入类型 | 逻辑 |
| Gate Charge | - |
| Td (on/off) A 25°C | -/5µs |
| Test Condition | 300V，9A，1 千欧，5V |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
