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ON Semiconductor - NDF04N62Z - MOSFET,N沟道,620V,4.4A,TO220FP - NDF04N62Z
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型号 制造商 描述 操作
NDF04N62ZG
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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 620V 4.4A TO220FP

RoHS: Not compliant
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型号 制造商 描述 操作
NDF04N62ZG
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ON Semiconductor

MOSFET NFET TO220FP 620V 2 OHM

RoHS: Compliant
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型号 制造商 描述 操作
NDF04N62ZG
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 620V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail - Bulk (Alt: NDF04N62ZG)

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型号 制造商 描述 操作
NDF04N62ZG
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ON Semiconductor  
RoHS: Compliant | pbFree: No
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  自家仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
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NDF04N62Z ON Semiconductor MOSFET,N沟道,620V,4.4A,TO220FP 查看库存、价格及货期
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NDF04N62ZG|ON SemiconductorNDF04N62ZG
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 620V 2OHM TO220FP
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无图NDF04N62Z
ON Semiconductor
MOSFET,N沟道,620V,4.4A,TO220FP
Rohs

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NDF04N62ZG|ON SemiconductorNDF04N62ZG
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 620V 2OHM TO220FP
Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

ON Semiconductor - NDF04N62ZG - ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET 晶体管 NDF04N62ZG, 4.4 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220FP封装

制造商零件编号:
NDF04N62ZG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2812
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

ON Semiconductor - NDF04N62ZG - MOSFET N-CH 620V 4.4A TO220FP
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 620V 4.4A TO220FP

详细描述:通孔 N 沟道 620V 4.4A(Tc) 28W(Tc) TO-220FP

型号:NDF04N62ZG
仓库库存编号:NDF04N62ZGOS-ND
别名:NDF04N62ZG-ND <br>NDF04N62ZGOS <br>

无铅
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  英国2号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

ON Semiconductor - NDF04N62ZG - 3-Pin TO-220FP 620 V 4.4 A NDF04N62ZG N-channel MOSFET Transistor|70341187 | ChuangWei Electronics
ON Semiconductor
NDF04N62ZG N-channel MOSFET Transistor, 4.4 A, 620 V, 3-Pin TO-220FP


型号:NDF04N62ZG
仓库库存编号:70341187

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NDF04N62ZG|ON SemiconductorNDF04N62ZG
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 620V 2OHM TO220FP
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无图NDF04N62Z
ON Semiconductor
MOSFET,N沟道,620V,4.4A,TO220FP
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NDF04N62Z
制造商型号: NDF04N62Z
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET,N沟道,620V,4.4A,TO220FP
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型关断延迟时间25 ns
典型接通延迟时间12 ns
典型栅极电荷@Vgs19 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds535 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度4.9mm
封装类型TO-220FP
尺寸10.63 x 4.9 x 16.12mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散96 W
最大栅源电压±30 V
最大漏源电压620 V
最大漏源电阻值2 Ω
最大连续漏极电流4.4 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度10.63mm
高度16.12mm

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