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NDD03N60ZT4G [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Cut TR (SOS) (Alt: NDD03N60ZT4G/BKN) RoHS: Compliant | 搜索 |
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![]() | ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V DPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tc) 61W(Tc) DPAK 型号:NDD03N60ZT4G 仓库库存编号:NDD03N60ZT4GOSCT-ND 别名:NDD03N60ZT4GOSCT | 无铅 |
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数据列表 | NDx03N60Z |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2.6A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 3.6 欧姆 @ 1.2A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 312pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 61W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | NDD03N60ZT4G-ND NDD03N60ZT4GOSTR |