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| NDD03N50Z-1G [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 500V 2.6A HVFET IPAK RoHS: Compliant | 搜索 |
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| NDD03N50Z-1G [更多] | ON Semiconductor | NDD03N50Z-1G N-channel MOSFET Transistor, 2.6 A, 500 V, 3-Pin IPAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| NDD03N50Z-1 | ON Semiconductor | MOSFET，N沟道，500V，2.6A，IPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | NDD03N50Z-1G ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK 详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.6A（Tc） 58W（Tc） I-Pak 型号：NDD03N50Z-1G 仓库库存编号：NDD03N50Z-1GOS-ND 别名：NDD03N50Z-1G-ND <br>NDD03N50Z-1GOS <br>NDD03N50Z1G <br> |  | 搜索 |
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| 制造商零件编号： NDD03N50Z-1G 品牌： ON Semiconductor 库存编号： 719-2780 | 搜索 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 15 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 274 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 2.38mm | |
| 封装类型 | IPAK | |
| 尺寸 | 6.73 x 2.38 x 7.62mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 58 W | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3.3 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 2.6 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双漏极、单 | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 7.62mm |
