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| MMDF3N02HDR2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SOIC 型号：MMDF3N02HDR2 仓库库存编号：MMDF3N02HDR2-ND | 含铅 | |
| ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SOIC 型号：MMDF3N02HDR2G 仓库库存编号：MMDF3N02HDR2GOSCT-ND 别名：MMDF3N02HDR2GOSCT | 无铅 |
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 | MMDF3N02HDR2 ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| MMDF3N02HDR2G ON Semiconductor | MOSFET PWR P-CH 20V 3.8A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | MMDF3N02HD |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 产品变化通告 | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.8A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 90 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 630pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
