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ON Semiconductor - MMBZ33VALT1 - 瞬态电压抑制，双，共阳极，齐纳，26V，SOT-23 - MMBZ33VALT1
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MMBZ33VALT1|ON Semiconductor
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
MMBZ33VALT1
制造商型号： MMBZ33VALT1
制造商： ON Semiconductor
描述： 瞬态电压抑制，双，共阳极，齐纳，26V，SOT-23
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
ESD保护是
安装类型表面贴装
宽度1.4mm
封装类型SOT-23
尺寸3.04 x 1.40 x 1.01mm
峰值脉冲功率耗散40W
引脚数目3
方向类型单向
最低工作温度-55 °C
最大反向待机电压26V
最大反向漏电流50μA
最大峰值脉冲电流0.87A
最大钳位电压46V
最小击穿电压31.35V
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
测试电流1mA
配置共阳极、双
长度3.04mm
高度1.01mm

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: MMBZ33VALT1
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