PDF查询| 数据列表 | MC1413(B), NCV1413B |
|---|---|
| 产品相片 | 16 SOIC |
| PCN Obsolescence | Multiple Devices 14/Apr/2010 |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | * |
| 晶体管类型 | 7 NPN 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 1.6V @ 500µA，350mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 1000 @ 350mA，2V |
| 功率 - 最大值 | - |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | MC1413BDR2OSCT |
