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| ECH8619-TL-E [更多] | ON Semiconductor | MOSFET
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| ECH8619-TL-E [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin ECH T/R
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| ECH8619-TL-E [更多] | SANYO Semiconductor Co Ltd |
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| ECH8619-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | ON Semiconductor MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 1.5W Surface Mount 8-ECH 型号：ECH8619-TL-E 仓库库存编号：869-1156-1-ND 别名：869-1156-1 ECH8619TLE | 无铅 |
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| ECH8619-TL-E ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8 | 查价格库存 查看详细 |
 | ECH8619-TL-E SANYO | 场效应管 双MOSFET NP沟道 60V ECH8 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | ECH8619 |
|---|---|
| 产品相片 | 8-ECH |
| 产品目录绘图 | ECH8 Package - P, N, N/P, Dual-N & Dual-P Channel Top |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3A，2A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 93 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 12.8nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 560pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 1.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | 8-ECH |
| 其它名称 | 869-1156-2 |
