数据列表 | BUB323Z |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 10A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 350V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 1.7V @ 250mA,10A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100µA |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 500 @ 5A,4.6V |
功率 - 最大值 | 150W |
频率 - 跃迁 | 2MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | BUB323ZT4GOS BUB323ZT4GOS-ND BUB323ZT4GOSTR |