| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| BD159G | ON Semiconductor | TRANS NPN 350V 0.5A BIPO TO-225 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
BD159G | 2533320 | ON SEMICONDUCTOR Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350 V, 20 W, 500 mA, 30 hFE  (EN) | 搜索 |
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 | ON Semiconductor TRANS NPN 350V 0.5A TO-225 详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN Through Hole TO-225AA 型号：BD159G 仓库库存编号：BD159GOS-ND 别名：BD159G-ND BD159GOS | 无铅 |
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PDF查询| 数据列表 | BD159 |
|---|---|
| 产品相片 | MJE703G |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 350V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | - |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 50mA，10V |
| 功率 - 最大值 | 20W |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 供应商器件封装 | TO225AA |
| 其它名称 | BD159G-ND BD159GOS |
