| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| 2N5883G [更多] | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray (Alt: 2N5883G) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| 2N5883G | ON Semiconductor | TRANS PNP PWR GP 25A 60V TO3 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | ON Semiconductor TRANS PNP 60V 25A TO3 详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 25A 4MHz 200W Through Hole TO-3 型号：2N5883G 仓库库存编号：2N5883GOS-ND 别名：2N5883GOS | 无铅 |
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 | 2N5883G ON Semiconductor | TRANS PNP PWR GP 25A 60V TO3  | 查价格库存 查看详细 |
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2N5883G. | 1126031 | ON SEMICONDUCTOR 双极晶体管 (EN) | 搜索 |
2N5883G | 2535597 | ON SEMICONDUCTOR 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 4 MHz, 200 W, -25 A, 4 hFE (EN) | 搜索 |
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| 2N5883G ON Semiconductor | TRANS PNP PWR GP 25A 60V TO3 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | 2N5883-5886 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-3 Pkg |
| 标准包装 | 100 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 托盘 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 25A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 4V @ 6.25A，25A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 2mA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20 @ 10A，4V |
| 功率 - 最大值 | 200W |
| 频率 - 跃迁 | 4MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3 |
| 产品目录页面 | 1561 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 2N5883GOS |
