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NXP - PSMN3R4-30BLE - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 120A D2PAK - PSMN3R430BLE
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PSMN3R4-30BLE,118
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MOSFET N-CH 30V D2PAK

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MOSFET N-CH 30V D2PAK

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MOSFET N-CH 30V D2PAK

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MOSFET N-channel 30 V 3.4 mo FET

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PSMN3R4-30BLE,118
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Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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PSMN3R4-30BLE,118
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Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: PSMN3R4-30BLE,118)

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Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: PSMN3R4-30BLE,118)

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PSMN3R4-30BLE,118
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Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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MOSFET, N-CH, 30V, 120A, D2PAK

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PSMN3R4-30BLE.118
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 119A, 178W, D2PAK

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PSMN3R4-30BLE NXP 场效应管 MOSFET N沟道 30V 120A D2PAK 查看库存、价格及货期
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Nexperia USA Inc. - PSMN3R4-30BLE,118 - MOSFET N-CH 30V D2PAK		Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 178W（Tc） D2PAK

型号：PSMN3R4-30BLE,118
仓库库存编号：1727-1102-1-ND
别名：1727-1102-1
568-10257-1
568-10257-1-ND
无铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
PSMN3R4-30BLE
NEXPERIA PSMN3R4-30BLE		2254224

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 2950 μohm, 10 V, 1.7 V

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PSMN3R4-30BLE|NXPPSMN3R4-30BLE
NXP		场效应管 MOSFET N沟道 30V 120A D2PAK
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PSMN3R4-30BLE,118|NXP SemiconductorsPSMN3R4-30BLE,118
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH 30V D2PAK
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PSMN3R4-30BLE,118|NXP SemiconductorsPSMN3R4-30BLE,118
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NXP		场效应管 MOSFET N沟道 30V 120A D2PAK
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PSMN3R4-30BLE|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
PSMN3R4-30BLE
制造商型号： PSMN3R4-30BLE
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 30V 120A D2PAK
技术参考： PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 30V 120A D2PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 120A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 2950μohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.7V
  • 功耗, Pd: 178W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-263
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C

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