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NXP - PSMN3R3-40YS - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 100A LFPAK - PSMN3R340YS
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MOSFET N-CH 40V LFPAK

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Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R (Alt: PSMN3R3-40YS,115)

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Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R - Tape and Reel (Alt: PSMN3R3-40YS,115)

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Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R (Alt: PSMN3R3-40YS,115)

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NXP
场效应管 MOSFET N沟道 40V 100A LFPAK
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NXP
PSMN 系列 N沟道 40 V 4.5 mΩ MOSFET 晶体管 - LFPAK-4
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PSMN3R3-40YS,115|NXP SemiconductorsPSMN3R3-40YS,115
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MOSFET N-CH 40V LFPAK
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MOSFET N-CH 40V LFPAK
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MOSFET N-CHAN 40V 97A
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NXP Semiconductors
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PSMN3R3-40YS,115|NXPPSMN3R3-40YS,115
NXP
PSMN 系列 N沟道 40 V 4.5 mΩ MOSFET 晶体管 - LFPAK-4
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
PSMN3R3-40YS
NEXPERIA PSMN3R3-40YS
1845655

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 2.6 mohm, 10 V, 3 V

(EN)
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PSMN3R3-40YS
NEXPERIA PSMN3R3-40YS
1845655RL

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 2.6 mohm, 10 V, 3 V

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Nexperia USA Inc. - PSMN3R3-40YS,115 - MOSFET N-CH 40V LFPAK
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V LFPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 117W(Tc) LFPAK56,Power-SO8

型号:PSMN3R3-40YS,115
仓库库存编号:1727-4633-1-ND
别名:1727-4633-1 <br>568-5590-1 <br>568-5590-1-ND <br>

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PSMN3R3-40YS|NXP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PSMN3R3-40YS
制造商型号: PSMN3R3-40YS
制造商: NXP
描述: 场效应管 MOSFET N沟道 40V 100A LFPAK
技术参考: PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 40V 100A LFPAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 100A
  • 漏源电压, Vds: 40V
  • 在电阻RDS(上): 2.6mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 117W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: SOT-669
  • 针脚数: 4
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 100A
  • 电压, Vgs 最高: 20V

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