NXP - PSMN2R9-25YLC,115 - PSMN2R9 系列 25 V 4.1 mOhm N 沟道 逻辑电平 MosFet - POWERSO-8 - PSMN2R925YLC115
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PSMN2R9-25YLC,115
- PSMN2R9 系列 25 V 4.1 mOhm N 沟道 逻辑电平 MosFet - POWERSO-8 - PSMN2R925YLC115
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PSMN2R9-25YLC,115
制造商型号:
PSMN2R9-25YLC,115
制造商:
NXP
描述:
PSMN2R9 系列 25 V 4.1 mOhm N 沟道 逻辑电平 MosFet - POWERSO-8
技术参考:
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库存状态:
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所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
N-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
25 V
Drain-Source On Resistance-Max:
4.1 mΩ
Qg Gate Charge:
16 nC
Rated Power Dissipation:
92 W
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
PSMN2R9-25YLC,115
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www.szcwdz.com.cn
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*所需产品:
型号: PSMN2R9-25YLC,115 品牌: NXP 备注: PSMN2R9 系列 25 V 4.1 mOhm N 沟道 逻辑电平 MosFet - POWERSO-8
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