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NXP - PSMN2R6-40YS - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 100A SOT669 - PSMN2R640YS
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PSMN2R6-40YS|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
PSMN2R6-40YS
制造商型号： PSMN2R6-40YS
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 40V 100A SOT669
技术参考： PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 40V 100A SOT669
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 100A
  • 漏源电压, Vds: 40V
  • 在电阻RDS（上）: 2mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 131W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: SOT-669
  • 针脚数: 4
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 100A
  • 电压, Vgs 最高: 20V

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