NXP - PSMN063-150D,118 - PSMN 系列 150 V 63 mΩ 150 W N 沟道 增强模式 晶体管 - SOT-428 - PSMN063150D118
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PSMN063-150D,118
- PSMN 系列 150 V 63 mΩ 150 W N 沟道 增强模式 晶体管 - SOT-428 - PSMN063150D118
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PSMN063-150D,118
制造商型号:
PSMN063-150D,118
制造商:
NXP
描述:
PSMN 系列 150 V 63 mΩ 150 W N 沟道 增强模式 晶体管 - SOT-428
技术参考:
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库存状态:
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所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
N-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
150 V
Drain-Source On Resistance-Max:
63 mΩ
Qg Gate Charge:
55 nC
Rated Power Dissipation:
150 W
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
PSMN063-150D,118
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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*所需产品:
型号: PSMN063-150D,118 品牌: NXP 备注: PSMN 系列 150 V 63 mΩ 150 W N 沟道 增强模式 晶体管 - SOT-428
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