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NXP - PMV40UN215 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 4.9A SOT-23 - PMV40UN215
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PMV40UN,215
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Nexperia

MOSFET N-CH TRENCH 30V

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
PMV40UN,215
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Nexperia

Single N-Channel 30 V 47 mOhm 9.3 nC 1.9 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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PMV40UN215
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NXP Semiconductors  

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PMV40UN215 NXP 场效应管 MOSFET N沟道 30V 4.9A SOT-23 查看库存、价格及货期
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PMV40UN,215
NEXPERIA PMV40UN,215
1758117

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 0.04 ohm, 4.5 V, 700 mV

(EN)
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NXP USA Inc. - PMV40UN,215 - MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.9A(Tc) 1.9W(Tc) TO-236AB(SOT23)

型号:PMV40UN,215
仓库库存编号:568-2355-1-ND
别名:568-2355-1
无铅
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无图PMV40UN 215
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH 30V
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PMV40UN,215|NXPPMV40UN,215
NXP
PMV 系列 30 V 47 mΩ 1.9 W μTrenchMOS 超低电平 FET - SOT-23
Rohs

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PMV40UN215|NXPPMV40UN215
NXP
场效应管 MOSFET N沟道 30V 4.9A SOT-23
Rohs

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PMV40UN,215|NXP SemiconductorsPMV40UN,215
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
Rohs

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PMV40UN,215|NXPPMV40UN,215
NXP
PMV 系列 30 V 47 mΩ 1.9 W μTrenchMOS 超低电平 FET - SOT-23
Rohs

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PMV40UN,215|NXP SemiconductorsPMV40UN,215
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
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NXP
场效应管 MOSFET N沟道 30V 4.9A SOT-23
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PMV40UN215|NXP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PMV40UN215
制造商型号: PMV40UN215
制造商: NXP
描述: 场效应管 MOSFET N沟道 30V 4.9A SOT-23
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 30V 4.9A SOT-23
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 2A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS(上): 47mohm
  • 电压 @ Rds测量: 4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 700mV
  • 功耗, Pd: 1.9W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-23
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: SOT-23
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 增强
  • 漏极电流, Id 最大值: 4.9A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电压, Vgs 最高: 700mV
  • 表面安装器件: SMD

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