| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMV30UN,215 [更多] | Nexperia | MOSFET N-CH TRENCH 20V RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMV30UN215 [更多] | NXP Semiconductors |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| PMV30UN,21 | NXP | MOSFET，N沟道，20V，5.7A，TO236AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | PMV30UN,215 NXP | PMV 系列 20 V 36 mΩ 1.9 W μTrenchMOS 超低电平 FET - SOT-23  | 查价格库存 查看详细 |
 | PMV30UN,215 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23 | 查价格库存 查看详细 |
 | PMV30UN,21 NXP | MOSFET，N沟道，20V，5.7A，TO236AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | PMV30UN215 NXP | 场效应管 MOSFET N沟道 20V 5.7A SOT-23 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| PMV30UN 215 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH 20V 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| PMV30UN,21 NXP | MOSFET，N沟道，20V，5.7A，TO236AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| PMV30UN,215 NXP | PMV 系列 20 V 36 mΩ 1.9 W μTrenchMOS 超低电平 FET - SOT-23 | 查价格库存 查看详细 |
| PMV30UN215 NXP | 场效应管 MOSFET N沟道 20V 5.7A SOT-23 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | PMV30UN,215 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23 | 查价格库存 查看详细 |
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 | NXP USA Inc. MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23 详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.7A（Tc） 1.9W（Tc） TO-236AB（SOT23） 型号：PMV30UN,215 仓库库存编号：568-2353-1-ND 别名：568-2353-1 <br> | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 53 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.4 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 460 pF V @ 20 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 封装类型 | TO-236AB | |
| 尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1.9 W | |
| 最大栅源电压 | ±8 V | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.036 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 5.7 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1mm |
