NXP - PMT29EN,115 - PMT29EN 系列 30 V 29 mOhm N沟道 Trench MosFet 表面贴装 - SOT-223 - PMT29EN115
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PMT29EN,115
- PMT29EN 系列 30 V 29 mOhm N沟道 Trench MosFet 表面贴装 - SOT-223 - PMT29EN115
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PMT29EN,115
制造商型号:
PMT29EN,115
制造商:
NXP
描述:
PMT29EN 系列 30 V 29 mOhm N沟道 Trench MosFet 表面贴装 - SOT-223
技术参考:
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库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
N-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
30 V
Drain-Source On Resistance-Max:
29 mΩ
Qg Gate Charge:
11 nC
Rated Power Dissipation:
820 mW
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
PMT29EN,115
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*所需产品:
型号: PMT29EN,115 品牌: NXP 备注: PMT29EN 系列 30 V 29 mOhm N沟道 Trench MosFet 表面贴装 - SOT-223
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