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NXP - PMR400UN115 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 0.8A SOT416 - PMR400UN115
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PMR400UN115|NXP
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PMR400UN115
制造商型号： PMR400UN115
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 30V 0.8A SOT416
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 30V 0.8A SOT416
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 200mA
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 480mohm
  • 电压 @ Rds测量: 4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 700mV
  • 功耗, Pd: 530mW
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-416
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: SOT-416
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 增强
  • 漏极电流, Id 最大值: 800mA
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电压, Vgs 最高: 700mV
  • 表面安装器件: SMD

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