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NXP - PMR290UNE - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 700mA SOT416 - PMR290UNE
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PMR290UNE,115
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Nexperia

MOSFET 20V 700 MA N-CH TRENCH MOSFET

RoHS: Compliant

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PMR290UNE,115|NXP SemiconductorsPMR290UNE,115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 20V 700MA SC-75
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NXP - PMR290UNE - NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMR290UNE, 700 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75封装

制造商零件编号:
PMR290UNE
品牌:
NXP
库存编号:
816-6919
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PMR290UNE
NEXPERIA PMR290UNE
2069565

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV

(EN)
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NXP USA Inc. - PMR290UNE,115 - MOSFET N-CH 20V 700MA SC-75
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 700MA SC-75

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 700mA(Ta) 250mW(Ta),770mW(Tc) SC-75

型号:PMR290UNE,115
仓库库存编号:568-10319-1-ND
别名:568-10319-1 <br>

无铅
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PMR290UNE|NXPPMR290UNE
NXP
场效应管 MOSFET N沟道 20V 700mA SOT416
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无图PMR290UNE 115
NXP Semiconductors
MOSFET 20V 700 MA N-CH TRENCH MOSFET
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MOSFET N-CH 20V 700MA SC-75
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PMR290UNE|NXP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PMR290UNE
制造商型号: PMR290UNE
制造商: NXP
描述: 场效应管 MOSFET N沟道 20V 700mA SOT416
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 20V 700mA SOT416
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 700mA
  • 漏源电压, Vds: 20V
  • 在电阻RDS(上): 0.29ohm
  • 电压 @ Rds测量: 4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 750mV
  • 功耗, Pd: 250mW
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-416
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 工作??度范围: -55°C 至 +150°C

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