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NXP - PMR280UN,115 - PMR 系列 20 V 340 mΩ 0.53 W N沟道 TrenchMOS 超低电平 FET - SOT-416 - PMR280UN115
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PMR280UN,115
库存编号:568-6833-2-ND
NXP Semiconductors MOSFET N-CH 20V 980MA SC750
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NXP - PMR280UN,115 - NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMR280UN,115, 980 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75封装

制造商零件编号:
PMR280UN,115
品牌:
NXP
库存编号:
725-8427
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NXP USA Inc. - PMR280UN,115 - MOSFET N-CH 20V 0.98A SOT416
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 0.98A SOT416

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 980mA(Tc) 530mW(Tc) SC-75

型号:PMR280UN,115
仓库库存编号:568-6833-1-ND
别名:568-6833-1 <br>

无铅
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PMR280UN,115
NEXPERIA PMR280UN,115
1758110RL

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.28 ohm, 4.5 V, 700 mV

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PMR280UN,115
NEXPERIA PMR280UN,115
1758110

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.28 ohm, 4.5 V, 700 mV

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无图PMR280UN 115
NXP Semiconductors
MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET
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PMR280UN115|NXPPMR280UN115
NXP
场效应管 MOSFET N沟道 20V 0.98A SOT416
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PMR280UN,115|NXPPMR280UN,115
NXP
PMR 系列 20 V 340 mΩ 0.53 W N沟道 TrenchMOS 超低电平 FET - SOT-416
Rohs

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PMR280UN,115|NXP SemiconductorsPMR280UN,115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 20V 0.98A SOT416
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NXP
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PMR280UN,115
制造商型号: PMR280UN,115
制造商: NXP
描述: PMR 系列 20 V 340 mΩ 0.53 W N沟道 TrenchMOS 超低电平 FET - SOT-416
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 340 mΩ
  • Qg Gate Charge: 0.89 nC
  • Rated Power Dissipation: 0.53 W

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