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NXP - PMGD290XN,115 - PMGD 系列 20 V 350 mΩ 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 低电平 FET - SOT-363 - PMGD290XN115
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PMGD290XN,115
制造商型号： PMGD290XN,115
制造商： NXP
描述： PMGD 系列 20 V 350 mΩ 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 低电平 FET - SOT-363
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • Channel Type: Dual N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 350 mΩ
  • Qg Gate Charge: 0.72 nC
  • Rated Power Dissipation: 0.41 W

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