NXP - PMDPB65UP,115 - PMDPB65 系列 20 V 3.5 A 72 mOhm 双通道 P-沟道 Trench MOSFET - SOT1118 - PMDPB65UP115
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PMDPB65UP,115
- PMDPB65 系列 20 V 3.5 A 72 mOhm 双通道 P-沟道 Trench MOSFET - SOT1118 - PMDPB65UP115
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PMDPB65UP,115
制造商型号:
PMDPB65UP,115
制造商:
NXP
描述:
PMDPB65 系列 20 V 3.5 A 72 mOhm 双通道 P-沟道 Trench MOSFET - SOT1118
技术参考:
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库存状态:
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所在地:
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400-900-3095, QQ:
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由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
Dual P-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
20 V
Drain-Source On Resistance-Max:
70 mΩ
Qg Gate Charge:
6 nC
Rated Power Dissipation:
520 mW
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
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型号: PMDPB65UP,115 品牌: NXP 备注: PMDPB65 系列 20 V 3.5 A 72 mOhm 双通道 P-沟道 Trench MOSFET - SOT1118
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