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NXP - PMBFJ620115 - 场效应管 JFET N沟道 双路 25V SOT363 - PMBFJ620115
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PMBFJ620,115
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JFET JFET N-CHAN DUAL 25V

RoHS: Compliant

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PMBFJ620115
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PMBFJ620,115|NXPPMBFJ620,115
NXP		PMBFJ620 系列 25 Vds 60 mA 双 N 沟道 场效应晶体管 - SOT-23-3
Rohs

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PMBFJ620,115|NXP SemiconductorsPMBFJ620,115
NXP Semiconductors		JFET JFET N-CHAN DUAL 25V
Rohs

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PMBFJ620115|NXPPMBFJ620115
NXP		场效应管 JFET N沟道 双路 25V SOT363
Rohs

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PMBFJ620,115|NXP SemiconductorsPMBFJ620,115
NXP Semiconductors		JFET N-CHAN DUAL 25V SOT363
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无图PMBFJ620 115
NXP Semiconductors		JFET JFET N-CHAN DUAL 25V
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PMBFJ620,115|NXPPMBFJ620,115
NXP		PMBFJ620 系列 25 Vds 60 mA 双 N 沟道 场效应晶体管 - SOT-23-3
Rohs

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PMBFJ620115|NXPPMBFJ620115
NXP		场效应管 JFET N沟道 双路 25V SOT363
Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

NXP - PMBFJ620,115 - NXP PMBFJ620,115 双 N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: 24 → 60mA, 6引脚 UMT封装
制造商零件编号：
PMBFJ620,115
品牌：
NXP
库存编号：
626-3320
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

NXP USA Inc. - PMBFJ620,115 - JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP		NXP USA Inc.
JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP
详细描述：JFET 2 N-Channel (Dual) 25V 190mW Surface Mount 6-TSSOP

型号：PMBFJ620,115
仓库库存编号：568-2084-1-ND
别名：568-2084-1
无铅
PMBFJ620115|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
PMBFJ620115
制造商型号： PMBFJ620115
制造商： NXP
描述： 场效应管 JFET N沟道 双路 25V SOT363
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 JFET N沟道 双路 25V SOT363
  • 晶体管类型: 结型场效应晶体管（JFET）
  • 击穿电压: -25V
  • 零闸电压漏极电流, Idss 最小值: 24mA
  • 零??电压漏极电流, Idss 最大值: 60mA
  • 栅极源极截断电压, Vgs 最大值: -6.5V
  • 功耗, Pd: 190mW
  • 工作温度最小值: -65°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-363
  • 针脚数: 6
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: SOT-363
  • 工作温度范围: -65°C 至 +150°C
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Idss 最大: 60mA
  • 电流, Idss 最小: 24mA
  • 表面安装器件: SMD
  • 零闸极电压漏极电流, Idss: 24mA 至 60mA

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